ECIS細(xì)胞動(dòng)態(tài)分析儀應(yīng)用
一、 細(xì)胞損傷修復(fù)應(yīng)用
傳統(tǒng)細(xì)胞損傷修復(fù)
1） 傳統(tǒng)的細(xì)胞損傷修復(fù)實(shí)驗(yàn)一般使用生長(zhǎng)增殖快的單細(xì)胞層，然后在細(xì)胞層上劃一條線，小面積的細(xì)胞層被損傷。當(dāng)周?chē)?xì)胞進(jìn)入并且生長(zhǎng)填滿被損壞的區(qū)域時(shí)（修復(fù)），可以用顯微鏡檢查到損壞的區(qū)域里的細(xì)胞狀況。
2）ECIS技術(shù)方法
ECIS方法則可以完成自動(dòng)化分析實(shí)驗(yàn)。當(dāng)給予電極較強(qiáng)的瞬間電流時(shí)，測(cè)量電極上的細(xì)胞就會(huì)被擊穿、損傷，然后有部分細(xì)胞死亡。
典型的損傷修復(fù)實(shí)驗(yàn)如下圖所示。BSC1細(xì)胞首先長(zhǎng)成單細(xì)胞層，然后兩個(gè)孔中給予點(diǎn)擊，使測(cè)量電極上的細(xì)胞死亡，引起阻抗值降低。隨時(shí)間的延長(zhǎng)這兩個(gè)曲線又回到初始數(shù)值，這是由于那些在電極外的正常細(xì)胞向損傷地區(qū)遷移并重新生長(zhǎng)并且替換已死去細(xì)胞。
ECIS是完全自動(dòng)化的分析方法，整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程在軟件控制下進(jìn)行，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)有很好的重復(fù)性，并且有利于進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
二、 細(xì)胞伸展貼壁
ECIS技術(shù)的重要應(yīng)用之一是研究細(xì)胞伸展貼壁行為。這種測(cè)量方法可以研究細(xì)胞與細(xì)胞外基質(zhì)的相互作用對(duì)細(xì)胞貼壁能力的作用。這種方法是實(shí)時(shí)的和定量地，和傳統(tǒng)的終點(diǎn)法相比有著顯著的優(yōu)勢(shì)。
如圖所示兩種不同類(lèi)型的細(xì)胞貼壁速度存在很大差異。首先將同樣數(shù)目的BSC1和NRK細(xì)胞接種在電極孔中，直至兩種細(xì)胞形成密集的細(xì)胞層，很明顯BSC1細(xì)胞有著更快的貼壁和生長(zhǎng)速度。
三、腫瘤細(xì)胞侵潤(rùn)研究
內(nèi)皮細(xì)胞層的建立
ECIS圓孔電極首先包被明膠層，然后HUVEC細(xì)胞懸液加入到板孔中，在加入細(xì)胞后的2個(gè)小時(shí)形成單細(xì)胞層：
上圖分別是加入G細(xì)胞、AT3細(xì)胞和對(duì)照的內(nèi)皮細(xì)胞層阻抗曲線。可以看到隨著腫瘤細(xì)胞的加入，內(nèi)皮細(xì)胞層阻抗值開(kāi)始降低，并且AT3細(xì)胞引起的降低更加顯著，阻抗值降低的原因是由腫瘤細(xì)胞的侵入影響了完整的內(nèi)皮細(xì)胞層。
四、體外毒理學(xué)檢測(cè)
細(xì)胞的生長(zhǎng)受到培養(yǎng)基中化學(xué)成分的影響，因此可以利用ECIS技術(shù)檢測(cè)藥物對(duì)細(xì)胞的毒理學(xué)影響：
上圖是十二烷基磺酸鈉對(duì)WI-38細(xì)胞的作用，可以看出這種化合物對(duì)細(xì)胞的生長(zhǎng)有著明顯的抑制作用，并且濃度越高抑制效果越顯著。
五、細(xì)胞的趨化遷移
ECIS細(xì)胞動(dòng)態(tài)分析儀有著極高的靈敏度，甚至可以檢測(cè)單個(gè)細(xì)胞的微運(yùn)動(dòng)：
A：以葉酸為趨化化合物，少量NC4A2細(xì)胞從電極板一側(cè)（左下）遷移（右上）測(cè)量到的細(xì)胞層電阻值變化。由圖可見(jiàn)，隨著細(xì)胞進(jìn)入電極孔范圍，電阻值上升，隨著細(xì)胞進(jìn)一步遷移出電極孔，電阻值又下降
B：顯微鏡下觀察遷移過(guò)程，與電阻測(cè)定值對(duì)應(yīng)
六、其它的應(yīng)用
細(xì)胞層屏障功能的研究
細(xì)胞信號(hào)轉(zhuǎn)導(dǎo)的研究
流動(dòng)狀態(tài)下細(xì)胞行為的研究
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